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主要針對功率半導體器件的雪崩能量，熱阻及分層測試，如功率二極管，碳化硅二極管，同步二極管，IGBT,MOS管，碳化硅MOS，以及內部集成MOS的芯片等均適用。主要使產品的極限性得到有效的發揮
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